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SYSCOM Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01. MOD: MRF644
$741.99
$1,448.89
Características Principales
- Transistor NPN de potencia RF
- Frecuencia de operación: 470 MHz
- Ganancia: 6.2 dB
- Potencia de salida: 25 Watt
- Tecnología de silicio avanzada
Ratings Máximos
- Voltage Colector-Emisor (VCEO): 16 Vdc
- Voltage Colector-Base (VCBO): 36 Vdc
- Voltage Emisor-Base (VEBO): 4.0 Vdc
- Corriente Colector (IC): 4.0 Adc
- Disipación total (TC = 25°C): 103 Watts
- Derating: 0.59 W/°C sobre 25°C
- Rango temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C
Características Térmicas
- Resistencia térmica (Juntura a Carcaza): 1.7 °C/W
Características Eléctricas (TC = 25°C)
Características OFF
- Voltage ruptura Colector-Emisor: 16 Vdc (IC = 20 mAdc, IB = 0)
- Voltage ruptura Colector-Base: 36 Vdc (IC = 20 mAdc, VBE = 0)
- Voltage ruptura Emisor-Base: 4.0 Vdc (IE = 5.0 mAdc, IC = 0)
- Corriente fuga Colector: ≤5.0 mAdc (VCE = 15 Vdc, VBE = 0)
Características ON
- DC Current Gain (hFE): 40-100 (IC = 4.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
Características Dinámicas
- Capacitancia de salida (Cob): 60-85 pF (VCB = 12.5 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Pruebas Funcionales
- Amplificador común emisor: Ganancia de potencia 6.2-7.0 dB
- Voltage de alimentación: 12.5 Vdc
- Potencia de entrada: 5.0-6.0 Watts
- Eficiencia del colector: 55-60%
- Impedancia entrada: 1.2 + j3.3 Ohms
- Impedancia salida: 1.9 + j2.1 Ohms
Diagramas y Gráficas
- Potencia de salida vs Potencia de entrada
- Potencia de salida vs Frecuencia
- Potencia de salida vs Voltaje de alimentación
- Perfil de saturación de potencia
- Impedancia entrada/salida equivalente en serie
Dimensiones del Paquete
Código: CASE 316-01, STYLE 1
- Dimensiones: 24.38-25.14 mm (A) x 12.45-12.95 mm (B) x 5.97-7.62 mm (C)
- Conexiones: 1.Emisor, 2.Colector, 3.Emisor, 4.Base
Aplicaciones
- Amplificadores de señal grande UHF a 12.5 Volt
- Equipos FM industriales y comerciales
- Operación hasta 512 MHz
- Sistemas con requisitos de impedancia controlada
